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    (2009?大連)某些物質(zhì)在溫度很低時(shí),電阻就變成了
    .這就是超導(dǎo)現(xiàn)象;硅、鍺等半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電能力比銅、鐵等金屬的導(dǎo)電能力
    (填“強(qiáng)”或“弱”).
    分析:本題考查超導(dǎo)體及半導(dǎo)體的特點(diǎn),記清即可解答.
    解答:解:超導(dǎo)體現(xiàn)象指在溫度很低時(shí)有些物質(zhì)的電阻可以變?yōu)榱;半?dǎo)體的導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和半導(dǎo)體之間,即半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能比銅、鐵等金屬的導(dǎo)電能力弱,比絕緣體要強(qiáng);
    故答案為:零,弱.
    點(diǎn)評(píng):半導(dǎo)體和超導(dǎo)體為近代物理研究的重要成果,也是考試中的熱點(diǎn).
    練習(xí)冊(cè)系列答案
    相關(guān)習(xí)題

    科目:初中物理 來(lái)源: 題型:

    (2009?大連)在“探究電阻上的電流跟兩端電壓的關(guān)系”實(shí)驗(yàn)中.
    (1)請(qǐng)用筆畫線,將圖中的電壓表連入電路中.

    (2)連接好電路后,閉合開關(guān)前,應(yīng)將變阻器的滑片滑到端
    a
    a
    (填“a”或”b”).
    (3)閉合開關(guān)后,將變阻器的滑片從阻值最大端緩慢移到阻值最小端,發(fā)現(xiàn)電壓表的示數(shù)從0.4V升到2.8V.關(guān)于電壓測(cè)量點(diǎn)的選擇有以下三種方案:
    甲方案:0.6V  1.0V  1.4V  1.8V  2.2V  2.6V
    乙方案:0.6V  1.0V  1.3V  1.5V  2.0V  2.6V
    丙方案:0.6V  1.6V  2.6V
    你認(rèn)為哪個(gè)方案正確?
    甲方案
    甲方案
    .理由是:
    取的電壓測(cè)量點(diǎn)多,且各電壓值的間距相等
    取的電壓測(cè)量點(diǎn)多,且各電壓值的間距相等

    (4)某實(shí)驗(yàn)小組做該實(shí)驗(yàn)時(shí),所用的導(dǎo)線完好,導(dǎo)線與器材的各連接處接觸良好.但將變阻器的滑片沿某方向移動(dòng)的過程中,發(fā)現(xiàn)電壓表和電流表的示數(shù)都忽大忽小,則故障的原因是:
    變阻器的滑片與線圈接觸不良
    變阻器的滑片與線圈接觸不良

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    科目:初中物理 來(lái)源: 題型:

    (2009?大連)做“凸透鏡成像”實(shí)驗(yàn)時(shí).
    (1)將蠟燭、凸透鏡和光屏放在光具座上,使蠟燭、凸透鏡和光屏三者的中心大致在同一高度,并使光屏與透鏡所在的平面平行.
    (2)將蠟燭放在二倍焦距以外的某點(diǎn)時(shí),移動(dòng)光屏找到像,則光屏上的像是倒立的.
    (3)將蠟燭從a點(diǎn)沿光具座移動(dòng)一倍焦距與二倍焦距之間的某點(diǎn)b的過程中,所成的像.(至少有一個(gè)選項(xiàng)正確,將正確選項(xiàng)的字母填在橫線上)
    C
    C

    A.先是縮小的后是放大的  B.始終是縮小的  C.逐漸變大  D.先逐漸變小后逐漸變大
    (4)將蠟燭放在一倍焦距以內(nèi),移動(dòng)光屏找像時(shí),看到光屏上出現(xiàn)一個(gè)大致是環(huán)狀的暗區(qū),如圖所示.這個(gè)暗區(qū)是怎樣產(chǎn)生的(注:該實(shí)驗(yàn)所用的凸透鏡沒有邊框)

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