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如圖所示，質(zhì)量為m高為h的矩形導(dǎo)線框在豎直面內(nèi)下落，其上下兩邊始終保持水平，途中恰好勻速穿過一有理想邊界高亦為h的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，則線框在此過程中產(chǎn)生的內(nèi)能為[　　 ]

A、mgh；

B、2mgh；

C、大于mgh而小于2mgh；

D、大于2mgh。

 

如圖所示，質(zhì)量為m高為h的矩形導(dǎo)線框在豎直面內(nèi)下落，其上下兩邊始終保持水平，途中恰好勻速穿過一有理想邊界高亦為h的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，則線框在此過程中產(chǎn)生的內(nèi)能為[　　 ]

A、mgh；

B、2mgh；

C、大于mgh而小于2mgh；

D、大于2mgh。

 

如圖所示，質(zhì)量為m、寬為l，高為2l的“日”字形矩形導(dǎo)線框，橫邊每邊電阻均為R，豎邊電阻不計．在它的下部有一個垂直紙面的水平勻強(qiáng)磁場，磁感強(qiáng)度為B，高度為l，保持線框平面垂直于磁場方向進(jìn)入磁場，進(jìn)入磁場后立即做勻速運動，線框通過磁場所用的時間為________．

如圖所示，由粗細(xì)均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R，線框的質(zhì)量為m，高度為L、寬度為2L．若線框無初速度地從高處落下，下邊保持水平向下平動．在線框的下方，有一個上、下界面都是水平的勻強(qiáng)磁場區(qū)，磁場區(qū)高度為2L，磁場方向與線框平面垂直．閉合線圈下落后，可勻速進(jìn)入磁場區(qū)．對此，下列說法中正確的是

A．線圈ab邊剛進(jìn)入磁場時，感應(yīng)電流的方向為a→b→c→d→a        

B．線圈ab邊剛進(jìn)入磁場時，a、b兩點間的電壓為

C．線圈在磁場以上，下落的高度為

D．線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中，電路中產(chǎn)生的電能為2mgL

 

如圖所示，一矩形金屬框架abcd與水平面成某一角度，放在勻強(qiáng)磁場中，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，方向垂直于框架平面，框架的ad、bc邊的電阻不計，ab、cd邊長為L，電阻為R．有一質(zhì)量為m、電阻為2R的金屬棒MN無摩擦地從ab處平行于ab邊沖上框架，且上升的高度為h，此過程中ab邊發(fā)熱量為Q．求導(dǎo)線框ab邊發(fā)熱的最大功率．