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    7.下列敘述能證明金屬A的金屬性比金屬B強的是 A.A原子的最外層電子數(shù)比B原子的最外層電子數(shù)少 B.A原子的電子層數(shù)比B原子的電子層數(shù)多 C.1molA從稀硫酸中置換的氫氣比1molB置換的氫氣多 D.常溫下.A能從冷水中置換出氫氣.而B不能 查看更多

     

    題目列表(包括答案和解析)

    下列敘述中能證明A金屬比B金屬活潑性強的是(    )

    A.A原子的最外層電子數(shù)比B原子的最外層電子數(shù)少

    B.A原子電子層數(shù)比B原子電子層數(shù)多

    C.1 mol A從酸中置換H+生成的H2比1 mol B 從酸中置換H+生成的H2

    D.常溫時,A能從水中置換出氫,而B不能

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    下列有關(guān)敘述正確的是

    A.

    “神舟六號”飛船返回艙的表層采用高溫時自動燒蝕的耐高溫、抗氧化

    的新型無機非金屬材料帶走熱量從而保證內(nèi)部溫度不致過高.

    B.

    “加碘食鹽”“含氟牙膏”“富硒營養(yǎng)品”“高鈣牛奶”“加鐵醬油”等等,這里的碘、氟、硒指的是分子,鈣、鐵則分別是鈣離子和鐵離子.

    C.

    右圖是反應(yīng)物和生成物的能量變化示意圖,則其可能發(fā)生的反應(yīng)的熱

    化學(xué)方程式可表示為:

    2A(g)+B(g)=2C(g);△H=QkJ·mol-1(Q<0=

    D.

    電解水制取氫氣和氧氣時,通常加入硫酸鈉等強電解質(zhì),這說明強電

    解質(zhì)的導(dǎo)電性比弱電解質(zhì)的導(dǎo)電性強

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    清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一,硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)(如某些有機物,無機鹽,金屬、Si、SiO2粉塵等)。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強堿等。其中去除硅的氧化物,通常用一定濃度的HF溶液,室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面,增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH,Na2SiO3等混合溶液在75~90℃反應(yīng)25~35 min,效果良好。

    回答下列問題

    (1)能否用玻璃試劑瓶來盛HF溶液,為什么?用化學(xué)方程式加以解釋                           ;

    (2)寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式                                    ,對單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型,他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng),首先是Si與OH反應(yīng),生成SiO44,然后SiO44迅速水解生成H4SiO4;诖嗽矸治龇磻(yīng)中氧化劑為                     。

    (3)本;瘜W(xué)興趣小組同學(xué),為驗證Seidel的理論是否正確,完成以下實驗:

     

    實驗事實

    事實一

    水蒸汽在600℃時可使粉末狀硅緩慢氧化并放出氫氣。

    事實二

    盛放于鉑或石英器皿中的純水長時間對粉末狀還原硅無腐蝕作用。

    事實三

    普通玻璃器皿中的水僅因含有從玻璃中溶出的微量的堿便可使粉末狀硅在其中緩慢溶解。

    事實四

    在野外環(huán)境里,用較高百分比的硅鐵粉與干燥的Ca(OH)2和NaOH,點著后燜燒,可劇烈放出H2。

    事實五

    1g(0.036mo1)Si和20mL含有l(wèi)gNaOH(0.025mol)的溶液,小心加熱(稍微預(yù)熱),收集到約1700mL H2,很接近理論值(1600mL)。

     

    結(jié)論:從實驗上說明堿性水溶液條件下,H2O可作                 劑;NaOH作               劑,降低反應(yīng)             。高溫?zé)o水環(huán)境下,NaOH作               劑。

    (4)在太陽能電池表面沉積深藍(lán)色減反膜——氮化硅晶膜。常用硅烷(SiH4)與氨氣(NH3)在等離子體中反應(yīng)。硅烷是一種無色、有毒氣體,常溫下與空氣和水劇烈反應(yīng)。下列關(guān)于硅烷、氮化硅的敘述不正確的是                

    A.在使用硅烷時要注意隔離空氣和水,SiH4能與水發(fā)生氧化還原反應(yīng)生成H2;

    B.硅烷與氨氣反應(yīng)的化學(xué)方程式為:3SiH4+4NH3=Si3N4+12H2↑,反應(yīng)中NH3作氧化劑;

    C.它們具有卓越的抗氧化、絕緣性能和隔絕性能,化學(xué)穩(wěn)定性很好,不與任何酸、堿反應(yīng);

    D.氮化硅晶體中只存在共價鍵,Si3N4是優(yōu)良的新型無機非金屬材料。

     

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    清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一,硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)(如某些有機物,無機鹽,金屬、Si、SiO2粉塵等)。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強堿等。其中去除硅的氧化物,通常用一定濃度的HF溶液,室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面,增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH,Na2SiO3等混合溶液在75~90℃反應(yīng)25~35 min,效果良好。
    回答下列問題
    (1)能否用玻璃試劑瓶來盛HF溶液,為什么?用化學(xué)方程式加以解釋                          ;
    (2)寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式                                   ,對單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型,他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng),首先是Si與OH反應(yīng),生成SiO44,然后SiO44迅速水解生成H4SiO4;诖嗽矸治龇磻(yīng)中氧化劑為                    。
    (3)本校化學(xué)興趣小組同學(xué),為驗證Seidel的理論是否正確,完成以下實驗:

     
    實驗事實
    事實一
    水蒸汽在600℃時可使粉末狀硅緩慢氧化并放出氫氣。
    事實二
    盛放于鉑或石英器皿中的純水長時間對粉末狀還原硅無腐蝕作用。
    事實三
    普通玻璃器皿中的水僅因含有從玻璃中溶出的微量的堿便可使粉末狀硅在其中緩慢溶解。
    事實四
    在野外環(huán)境里,用較高百分比的硅鐵粉與干燥的Ca(OH)2和NaOH,點著后燜燒,可劇烈放出H2。
    事實五
    1g(0.036mo1)Si和20mL含有l(wèi)gNaOH(0.025mol)的溶液,小心加熱(稍微預(yù)熱),收集到約1700mL H2,很接近理論值(1600mL)。
     
    結(jié)論:從實驗上說明堿性水溶液條件下,H2O可作                劑;NaOH作              劑,降低反應(yīng)            。高溫?zé)o水環(huán)境下,NaOH作              劑。
    (4)在太陽能電池表面沉積深藍(lán)色減反膜——氮化硅晶膜。常用硅烷(SiH4)與氨氣(NH3)在等離子體中反應(yīng)。硅烷是一種無色、有毒氣體,常溫下與空氣和水劇烈反應(yīng)。下列關(guān)于硅烷、氮化硅的敘述不正確的是               
    A.在使用硅烷時要注意隔離空氣和水,SiH4能與水發(fā)生氧化還原反應(yīng)生成H2;
    B.硅烷與氨氣反應(yīng)的化學(xué)方程式為:3SiH4+4NH3=Si3N4+12H2↑,反應(yīng)中NH3作氧化劑;
    C.它們具有卓越的抗氧化、絕緣性能和隔絕性能,化學(xué)穩(wěn)定性很好,不與任何酸、堿反應(yīng);
    D.氮化硅晶體中只存在共價鍵,Si3N4是優(yōu)良的新型無機非金屬材料。

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    清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一,硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)(如某些有機物,無機鹽,金屬、Si、SiO2粉塵等)。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強堿等。其中去除硅的氧化物,通常用一定濃度的HF溶液,室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面,增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH,Na2SiO3等混合溶液在75~90℃反應(yīng)25~35 min,效果良好。
    回答下列問題
    (1)能否用玻璃試劑瓶來盛HF溶液,為什么?用化學(xué)方程式加以解釋                          
    (2)寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式                                   ,對單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型,他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng),首先是Si與OH反應(yīng),生成SiO44,然后SiO44迅速水解生成H4SiO4;诖嗽矸治龇磻(yīng)中氧化劑為                    
    (3)本;瘜W(xué)興趣小組同學(xué),為驗證Seidel的理論是否正確,完成以下實驗:
     
    實驗事實
    事實一
    水蒸汽在600℃時可使粉末狀硅緩慢氧化并放出氫氣。
    事實二
    盛放于鉑或石英器皿中的純水長時間對粉末狀還原硅無腐蝕作用。
    事實三
    普通玻璃器皿中的水僅因含有從玻璃中溶出的微量的堿便可使粉末狀硅在其中緩慢溶解。
    事實四
    在野外環(huán)境里,用較高百分比的硅鐵粉與干燥的Ca(OH)2和NaOH,點著后燜燒,可劇烈放出H2
    事實五
    1g(0.036mo1)Si和20mL含有l(wèi)gNaOH(0.025mol)的溶液,小心加熱(稍微預(yù)熱),收集到約1700mL H2,很接近理論值(1600mL)。
     
    結(jié)論:從實驗上說明堿性水溶液條件下,H2O可作                劑;NaOH作              劑,降低反應(yīng)            。高溫?zé)o水環(huán)境下,NaOH作              劑。
    (4)在太陽能電池表面沉積深藍(lán)色減反膜——氮化硅晶膜。常用硅烷(SiH4)與氨氣(NH3)在等離子體中反應(yīng)。硅烷是一種無色、有毒氣體,常溫下與空氣和水劇烈反應(yīng)。下列關(guān)于硅烷、氮化硅的敘述不正確的是               。
    A.在使用硅烷時要注意隔離空氣和水,SiH4能與水發(fā)生氧化還原反應(yīng)生成H2;
    B.硅烷與氨氣反應(yīng)的化學(xué)方程式為:3SiH4+4NH3=Si3N4+12H2↑,反應(yīng)中NH3作氧化劑;
    C.它們具有卓越的抗氧化、絕緣性能和隔絕性能,化學(xué)穩(wěn)定性很好,不與任何酸、堿反應(yīng);
    D.氮化硅晶體中只存在共價鍵,Si3N4是優(yōu)良的新型無機非金屬材料。

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    一、選擇題

    題號

    1

    2

    3

    4

    5

    6

    7

    8

    9

    10

    答案

    B

    A

    D

    B

    B

    A

    D

    B

    C

    C

    二、選擇題

    題號

    11

    12

    13

    14

    15

    答案

    C

    CD

    CD

    A

    D

    三、填空、簡答和計算

    16. H、Li;(2)Li,F;(3)HF

    17.(1)Na;(2)Ar;(3);NaOH;;(4)Na;

    18.(1)1;(2) +5;(3)7?

    19.(1)0.93<x(Mg)<1.57,    2.25<x(N) <3.44 (每空1分)

    (2)原子半徑越小X值越大.(2分)  (3)x值越大元素的非金屬性越強.(4)x(K)<x(Na).

    20.⑴A:Mg;B:Al;C:Cl;D:C。⑵  略。⑶現(xiàn)象是產(chǎn)生白色沉淀,后沉淀部分溶解 。

    化學(xué)反應(yīng)方程式為 AlCl3+3NaOH=Al(OH)3+3NaCl,Al(OH)3+NaOH==NaAlO2+2H2O ,質(zhì)量為0.255g  。

    21.①從Cl→1,單質(zhì)與H2化合逐漸變難,生成鹵化氫的穩(wěn)定性HCl>HBr>HI。

    ②氯可以把溴和碘分別從溴化物和碘化物中置換出來,溴可以把碘從碘化物中置換出來,但溴不能把氯從氯化物中置換出來。

    ③(結(jié)論):從Cl→1元素非金屬性逐漸減弱,說明同一主族元素從上到下,隨原子序數(shù)增加,元素非元素性逐漸減弱。

    22.解:設(shè)R的原子序數(shù)為a,則有:2y-x+z=8(1),16y+x-z=64(2),8y+x-R=16(3)。

    聯(lián)立(1)、(2)、(3)得:a-x=16,當(dāng)x=1 a=17合理。

     

     

     

     


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