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				9．硅的元素符號(hào)為Si.單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料用化學(xué)方法可制得高純度硅  有關(guān)化學(xué)反應(yīng)方程式為:①SiO2+2C==Si+2CO↑ ②Si+2C12======SiCl4  ③SiCl4+2H2====Si+4HCl其中①.③的反應(yīng)類型屬于  A.復(fù)分解反應(yīng)  B.分解反應(yīng)  C.置換反應(yīng)   D.化合反應(yīng)			【查看更多】
			


		
     
    


		
    
		
    題目列表(包括答案和解析)
    

		
		
    

    


    
	
    				
    
									
    硅的元素符號(hào)為Si，單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料用化學(xué)方法可制得高純硅有關(guān)化學(xué)反應(yīng)方程式為：①SiO2+2C==Si+2CO↑  ②Si+2C12======SiCl4   ③SiCl4+2H2====Si+4HCl其中①、③的反應(yīng)類型屬于  （    ）  
    A.復(fù)分解反應(yīng)            B.分解反應(yīng)             C.置換反應(yīng)             D.化合反應(yīng)
    

			
    
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    硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：①SiO2+2C
     高溫 
    .
     
    Si+2CO②Si+2Cl2
     點(diǎn)燃 
    .
     
    SiCl4③SiCl4+2H2
      △  
    .
     
    Si+4HC，上述反應(yīng)中，反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于（　�。�
    
                
    A、化合反應(yīng)B、分解反應(yīng)
    C、置換反應(yīng)D、都不是
    

			
    
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    硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：①SiO2+2C
     高溫 
    .
     
    Si+2CO②Si+2Cl2
     點(diǎn)燃 
    .
     
    SiCl4③SiCl4+2H2
      △  
    .
     
    Si+4HC，上述反應(yīng)中，反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于（　�。�
    A．化合反應(yīng)B．分解反應(yīng)C．置換反應(yīng)D．都不是
    

			
    
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    硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：①SiO2+2CSi+2CO②Si+2Cl2SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HC，上述反應(yīng)中，反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于（ ）
    A．化合反應(yīng)
    B．分解反應(yīng)
    C．置換反應(yīng)
    D．都不是
    

			
    
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    硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：①SiO2+2CSi+2CO②Si+2Cl2SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HC，上述反應(yīng)中，反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于（ ）
    A．化合反應(yīng)
    B．分解反應(yīng)
    C．置換反應(yīng)
    D．都不是
    

			
    
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