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如圖所示，水平虛線L₁和L₂、L₃和L₄之間存在兩個(gè)磁場方向相反的勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，磁場高度為h，兩磁場相距也為h．豎直平面內(nèi)有一電阻均勻的凸形銅線框，質(zhì)量為m，AB、EF、CD、GH邊水平，AB邊長為l，EF邊長3l，BC、AH、ED、FG邊長為h．現(xiàn)使線框AB邊在磁場邊界L₁的上方h高處由靜止自由下落，當(dāng)AB邊剛進(jìn)入上面磁場時(shí)加速度恰好為零，當(dāng)AB邊出下面磁場的前一段時(shí)間內(nèi)，線框在做勻速運(yùn)動．（重力加速度為g）求：

（1）線框的電阻；
（2）在GH、CD邊進(jìn)入上面磁場后某時(shí)刻金屬框上的熱功率為P，則此時(shí)框的速度；
（3）在AB邊穿越兩個(gè)磁場過程中金屬框損失的機(jī)械能；
（4）大致畫出金屬框中電流隨高度變化的圖象．（下落2h內(nèi)已畫出）

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如圖所示，水平虛線L₁和L₂、L₃和L₄之間存在兩個(gè)磁場方向相反的勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，磁場高度為h，兩磁場相距也為h．豎直平面內(nèi)有一電阻均勻的凸形銅線框，質(zhì)量為m，AB、EF、CD、GH邊水平，AB邊長為l，EF邊長3l，BC、AH、ED、FG邊長為h．現(xiàn)使線框AB邊在磁場邊界L₁的上方h高處由靜止自由下落，當(dāng)AB邊剛進(jìn)入上面磁場時(shí)加速度恰好為零，當(dāng)AB邊出下面磁場的前一段時(shí)間內(nèi)，線框在做勻速運(yùn)動．（重力加速度為g）求：



（1）線框的電阻；
（2）在GH、CD邊進(jìn)入上面磁場后某時(shí)刻金屬框上的熱功率為P，則此時(shí)框的速度；
（3）在AB邊穿越兩個(gè)磁場過程中金屬框損失的機(jī)械能；
（4）大致畫出金屬框中電流隨高度變化的圖象．（下落2h內(nèi)已畫出）

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如圖所示，水平虛線L₁和L₂、L₃和L₄之間存在兩個(gè)磁場方向相反的勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，磁場高度為h，兩磁場相距也為h．豎直平面內(nèi)有一電阻均勻的凸形銅線框，質(zhì)量為m，AB、EF、CD、GH邊水平，AB邊長為l，EF邊長3l，BC、AH、ED、FG邊長為h．現(xiàn)使線框AB邊在磁場邊界L₁的上方h高處由靜止自由下落，當(dāng)AB邊剛進(jìn)入上面磁場時(shí)加速度恰好為零，當(dāng)AB邊出下面磁場的前一段時(shí)間內(nèi)，線框在做勻速運(yùn)動．（重力加速度為g）求：

（1）線框的電阻；
（2）在GH、CD邊進(jìn)入上面磁場后某時(shí)刻金屬框上的熱功率為P，則此時(shí)框的速度；
（3）在AB邊穿越兩個(gè)磁場過程中金屬框損失的機(jī)械能；
（4）大致畫出金屬框中電流隨高度變化的圖象．（下落2h內(nèi)已畫出）

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如圖所示，相距均為d的三條水平虛線L₁、L₂和L₃，L₁與L₂、L₂與L₃之間分別有垂直紙面向外、向里的勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B.一個(gè)邊長也是d的正方形導(dǎo)線框，從L₁上方一定高度處由靜止開始自由下落，當(dāng)ab邊剛越過L₁進(jìn)入磁場時(shí)，恰好以速度v₁做勻速直線運(yùn)動；當(dāng)ab邊在越過L₂運(yùn)動到L₃之前的某個(gè)時(shí)刻，線框又開始以速度v₂做勻速直線運(yùn)動，在線框從進(jìn)入磁場到速度變?yōu)関₂的過程中，設(shè)線框的動能變化量為ΔE_k，重力對線框做功為W₁，安培力對線框做功為W₂，下列說法中正確的有

A．在導(dǎo)線框下落過程中，由于重力做正功，所以v₂>v₁
B．從ab邊進(jìn)入磁場到速度變?yōu)関₂的過程中，線框動能的變化量為ΔE_k＝W₁＋W₂
C．從ab邊進(jìn)入磁場到速度變?yōu)関₂的過程中，線框動能的變化量為ΔE_k＝W₁－W₂
D．從ab邊進(jìn)入磁場到速度變?yōu)関₂的過程中，機(jī)械能減少了W₁－ΔE_k

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一、（20分）填空題．本大題共5小題，每小題4分。答案寫在題中橫線上的空白處或指定位置，不要求寫出演算過程。

1．主序星，核能或原子能       2．  3．315×10^-19，3             3．  ；10J   

4．  ；            5．    α=arctan， 9×10^-3J。

二、（40分）選擇題。

單項(xiàng)選擇題

6

7

8

9

10

A

C

B

D

C

多項(xiàng)選擇題

11

12

13

14

BD

ACD

ACD

BC

三、（30分）實(shí)驗(yàn)題

15． （5分）CD

16． （5分） （1）分子是球形；分子間無空隙（此空填“把油膜看成單分子層”也可以）

（2）  

17．（4分）C 

18．（1）如圖所示（2分）

 （2）2．5~2．7V之間均給分（1分）0．9~1．1

Ω之間均給分（1分）

（3）2．5~2．8A之間均給分（2分）

（4）1．55~1．75W之間均給分（2分）

19．（8分）擋光時(shí)間   極短時(shí)間內(nèi)的平均速度近 

似等于瞬時(shí)速度（或：極短位移內(nèi)的平均速

近似等于瞬時(shí)速度） （2分）

2．80 m²/s²；1．31m/s；

。（n=1,2,3……30）

四、（60分）計(jì)算題

20．（10分）解：

杯子內(nèi)氣體做等溫變化，由玻意耳定律得：

解得： Pa

因?yàn)闅怏wA的壓強(qiáng)加上水柱的壓強(qiáng)　 Pa=P₀　

　　所以，水不會流出來。

21． （12分）解：

（1）v₁=60km/h，s₁=20；v₂=120km/h，s₂=80m．

由動能定理知：-kmgs=0-，v²=2kgs  ①

    由圖像數(shù)據(jù)知：，因此v-s圖像是一條拋物線   ②

（2）利用動能定理：  ③

在圖像上取一點(diǎn)：v^­₁=60km/h，剎車時(shí)位移是s₁=20m  ④

  所以v₀²-45²=60²  

得v₀=75km/h ⑤

22．（12分）解：不正確。把路端電壓與電源電動勢混為一談，認(rèn)為路端電壓是恒定的，不隨外電路改變而改變。

分析解答：內(nèi)電阻不可忽略，

因?yàn)?img src="http://pic.1010jiajiao.com/pic4/docfiles/down/test/down/8f17c31e2a05f5855cd292153ab49fee.zip/76475/上海市奉賢區(qū)2009年高考模擬考試(二)-----物理.files/image106.gif" >，r一定，當(dāng)R

越大，U也越大，所以與ε不同，U不是恒定的。

設(shè)電源電動勢為s，內(nèi)電阻r，

以當(dāng)B連入時(shí)，用電器兩端的電壓將小于10V，它消耗的實(shí)際功率將小

于50W，有可能小于2.0W，，、

但需要滿足

可解得

，

述條件時(shí)，B的實(shí)際功率小于2．0W。

23． （12分）（1）解：（1分）

方向平行于斜面向上（1分）

（2）1～4s內(nèi)向下勻加速，，

 （1分）

4～7s內(nèi)向下勻減速至速度為0，

（1分）

7～8s內(nèi)向上勻加速，8～9s向上勻減速至速度為0，完成一個(gè)周期，

（1分）

一個(gè)周期內(nèi)向下位移

米

S=240，得（1分）

由過程分析知，5個(gè)周期未能達(dá)到，第6個(gè)周期終點(diǎn)時(shí)刻之前，就已經(jīng)到達(dá)。

下面我們計(jì)算第6個(gè)周期開始到達(dá)底端所用的時(shí)間

第6個(gè)周期由總位移米，加速階段，

位移S1=，剩下位移，加力后它減速過程即可完成：（1分）

，

，

得    （舍）（1分）

  =40+3+1．6s=44．6s（1分）

（3）  到達(dá)底端時(shí)速度為

（3分）

24．（14分）解：

（1）設(shè)AB邊剛進(jìn)入上面磁場時(shí)速度為0,線    

則mgh= m02                （1分）

AB剛進(jìn)入磁場時(shí)有， =mg      

所以（2分）

（2）當(dāng)GH、CD進(jìn)入磁場時(shí)，當(dāng)某時(shí)刻金屬框上的熱功率為P，設(shè)此時(shí)框的速度為1

E1=B（2l）1   （1分）

線框的熱功率為

，

得出1=  （2分）

（3），當(dāng)AB邊出下面磁場的前一段時(shí)間內(nèi)，線框在做勻速運(yùn)動，此時(shí)AB和EF同時(shí)在切割，設(shè)此勻速運(yùn)動的速度為2

E2=B（4l）2   （1分）

 =mg      （1分） 

2=  

在AB邊穿越兩個(gè)磁場過程中，根據(jù)能量守恒定律得：

    mg（4h）-Q= m22     （1分）

金屬框損失的機(jī)械能△E=Q= mgh  （1分）

（4）圖略